ghizh
کاربر تازه وارد
خبرگزاري دانشجويان ايران - تهران
سرويس: پژوهشي
يك عضو هيات علمي گروه الكترونيك دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي موفق به ساخت سريع‌ترين ترانزيستور جهان شد كه مي‌تواند تحولي مهم در ابررايانه‌ها و ساير تجهيزات پيشرفته الكترونيكي با كاربردهاي ويژه ايجاد كند.
به گزارش خبرنگار «پژوهشي» خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، مقاله مربوط به طرح ابتكاري دكتر فرشيد رييسي كه در مجله معتبر بين‌المللي Applied Physics Letters آمريكا نيز ارائه شده، بازتاب وسيعي در نشريات و رسانه‌هاي علمي فيزيك جهان داشته است.
دكتر رييسي در گفت و گو با خبرنگار «پژوهشي» خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، با بيان اين مطلب اظهار كرد: در طراحي اين ترانزيستور به جاي «الكترون» از «ساليتان» (بسته‌هاي امواج الكترومغناطيسي) كه با سرعت نور حركت مي‌كند، استفاده شده است.
عضو هيات علمي گروه الكترونيك دانشگاه دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي در خصوص مزيت اين طرح نسبت به ترانزيستورهاي معمولي گفت: ترانزيستور «ساليتاني» (SOLITON TRANSISTOR ) مي‌تواند صدها برابر سريع‌تر از ترانزيستورهاي معمولي كه توسط نيمه هادي‌ها ساخته مي‌شوند، عمل كند.
دكتر رييسي افزود: اين ترانزيستور در ابعاد 8 دهم ميليمتر ساخته شده و سرعتي حدود 8 گيگا هرتز دارد كه در مقايسه با ترانزيستورهاي معمولي (حدود 5/2 گيگا هرتز) سه برابر بيشتر است و هر چه ابعاد آن كوچكتر باشد ، سرعت ترانزيستور افزايش مي‌يابد.
دكتر رييسي با اشاره به اين كه قطعات مورد نياز اين ترانزيستور از خارج كشور تهيه مي‌شود، اظهار كرد: توليد اين ترانزيستور به آزمايشگاه‌هاي ساخت قطعات نيمه هادي نيازمند است كه متاسفانه در كشور وجود ندارد، در حالي كه هزينه تهيه يك آزمايشگاه ساخت ترانزيستور «ساليتاني» نسبت به هزينه آزمايشگاه‌هاي ساخت ترانزيستورهاي كنوني بسيار كمتر است.
وي در گفت‌و‌گو با ايسنا افزود: در صورت تجهيز آزمايشگاه ساخت قطعات نيمه هادي در كشور، با تهيه ترانزيستورهاي ساليتاني در ابعاد صد نانومتر، مي‌توان سرعت فركانسي آن را به حدود 200 تا 300 گيگا هرتز رساند تا در مواردي نظير ابررايانه‌ها و فعاليت‌هاي دفاعي كه سرعت ترانزيستور اهميت دارد، به كار رود.
اين پژوهشگر در پايان خاطر نشان كرد: ترانزيستور «ساليتاني» علاوه بر سرعت سه برابر بيشتر نمونه اوليه آن نسبت به سريع‌ترين ترانزيستورهاي موجود در بازار، از لحاظ هزينه توليد از ترانزيستورهاي نيمه هادي با كاربري در CPUها بسيار ارزانتر است.
گفتني است، دكتر رييسي تحصيلات كارشناسي خود را در رشته مهندسي الكترونيك در دانشگاه ايالتي «لويي‌زيانا» و تحصيلات كارشناسي ارشد و دكتري خود را در دانشگاه ويسكانسين - مديسون آمريكا به پايان برده، علاوه بر اين طرح، تحقيقات و مقالات علمي متعددي داشته كه در معتبرترين نشريات و كنفرانس‌هاي بين‌المللي فيزيك ارائه شده است.
بر گرفته از : http://isna.ir/Main/NewsView.aspx?ID=News-605472
سرويس: پژوهشي
يك عضو هيات علمي گروه الكترونيك دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي موفق به ساخت سريع‌ترين ترانزيستور جهان شد كه مي‌تواند تحولي مهم در ابررايانه‌ها و ساير تجهيزات پيشرفته الكترونيكي با كاربردهاي ويژه ايجاد كند.
به گزارش خبرنگار «پژوهشي» خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، مقاله مربوط به طرح ابتكاري دكتر فرشيد رييسي كه در مجله معتبر بين‌المللي Applied Physics Letters آمريكا نيز ارائه شده، بازتاب وسيعي در نشريات و رسانه‌هاي علمي فيزيك جهان داشته است.
دكتر رييسي در گفت و گو با خبرنگار «پژوهشي» خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، با بيان اين مطلب اظهار كرد: در طراحي اين ترانزيستور به جاي «الكترون» از «ساليتان» (بسته‌هاي امواج الكترومغناطيسي) كه با سرعت نور حركت مي‌كند، استفاده شده است.
عضو هيات علمي گروه الكترونيك دانشگاه دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي در خصوص مزيت اين طرح نسبت به ترانزيستورهاي معمولي گفت: ترانزيستور «ساليتاني» (SOLITON TRANSISTOR ) مي‌تواند صدها برابر سريع‌تر از ترانزيستورهاي معمولي كه توسط نيمه هادي‌ها ساخته مي‌شوند، عمل كند.
دكتر رييسي افزود: اين ترانزيستور در ابعاد 8 دهم ميليمتر ساخته شده و سرعتي حدود 8 گيگا هرتز دارد كه در مقايسه با ترانزيستورهاي معمولي (حدود 5/2 گيگا هرتز) سه برابر بيشتر است و هر چه ابعاد آن كوچكتر باشد ، سرعت ترانزيستور افزايش مي‌يابد.
دكتر رييسي با اشاره به اين كه قطعات مورد نياز اين ترانزيستور از خارج كشور تهيه مي‌شود، اظهار كرد: توليد اين ترانزيستور به آزمايشگاه‌هاي ساخت قطعات نيمه هادي نيازمند است كه متاسفانه در كشور وجود ندارد، در حالي كه هزينه تهيه يك آزمايشگاه ساخت ترانزيستور «ساليتاني» نسبت به هزينه آزمايشگاه‌هاي ساخت ترانزيستورهاي كنوني بسيار كمتر است.
وي در گفت‌و‌گو با ايسنا افزود: در صورت تجهيز آزمايشگاه ساخت قطعات نيمه هادي در كشور، با تهيه ترانزيستورهاي ساليتاني در ابعاد صد نانومتر، مي‌توان سرعت فركانسي آن را به حدود 200 تا 300 گيگا هرتز رساند تا در مواردي نظير ابررايانه‌ها و فعاليت‌هاي دفاعي كه سرعت ترانزيستور اهميت دارد، به كار رود.
اين پژوهشگر در پايان خاطر نشان كرد: ترانزيستور «ساليتاني» علاوه بر سرعت سه برابر بيشتر نمونه اوليه آن نسبت به سريع‌ترين ترانزيستورهاي موجود در بازار، از لحاظ هزينه توليد از ترانزيستورهاي نيمه هادي با كاربري در CPUها بسيار ارزانتر است.
گفتني است، دكتر رييسي تحصيلات كارشناسي خود را در رشته مهندسي الكترونيك در دانشگاه ايالتي «لويي‌زيانا» و تحصيلات كارشناسي ارشد و دكتري خود را در دانشگاه ويسكانسين - مديسون آمريكا به پايان برده، علاوه بر اين طرح، تحقيقات و مقالات علمي متعددي داشته كه در معتبرترين نشريات و كنفرانس‌هاي بين‌المللي فيزيك ارائه شده است.
بر گرفته از : http://isna.ir/Main/NewsView.aspx?ID=News-605472
