-
پایان فعالیت بخشهای انجمن: امکان ایجاد موضوع یا نوشته جدید برای عموم کاربران غیرفعال شده است
تكنولوژي 0.13 و 0.18 ميكرون در CPU هاي AMD
- شروع کننده موضوع mahdi206
- تاریخ شروع
ARH
Registered User
- تاریخ عضویت
- 10 ژانویه 2005
- نوشته‌ها
- 938
- لایک‌ها
- 4
سلامبه نقل از mahdi206 :
اين 13 و 18 صدم ميكرون اندازه گيت ترانزيستورهاي تشكيل دهنده هسته پردازنده هست . طبعا هرچي گيت كوچكتر باشه سطح هسته نيز كوچكتر خواهد شد و پراكندگي گرمايي اش پايين تر مي آيد همچنين ولتاژ VCore كمتري نيز استفاده خواهد شد در نتيجه شرايط براي افزايش فركانس كاري محيا خواهد شد .
موفق باشي
- تاریخ عضویت
- 18 سپتامبر 2004
- نوشته‌ها
- 1,771
- لایک‌ها
- 34
- سن
- 44
هيچكدوم ، سري جديد 90 نانومتري است .
منظور ARH عزيز كه به خاطر داشتن ترانزيستورهايي با دماي كاري پايين تر ، تبعا تعداد ترانزيستور بيشتري رو مي توان در واحد سطح بكار برد ، و با استفاده از ترانزيستور هاي بيشتر ، پردازنده هايي با فركانس كاري بالاتري مي شه توليد كرد . بعبارت ديگه اين امكان براي سازندگان پردازنده ها بوجود مياد ، كه نسل پردازنده ها رو ارتقا و ادامه بدن .
قبلا هم در مورد 90 نانو بودن پردازنده هاي جديد AMD در يك تاپيك ديگه بحث شد ، كه اينجا تكرارش مي كنم :
كلا اين قضيه 90 يا 130 نانومتري بودن مربوط به SOI (silicon-on-insulator) technology ( ميزان سيليكون روي نيمه هادي ) است . كه به نحوه توليد و نوع ترانزيستور ها و نيمه هادي هاي بكار رفته داخل پردازنده بر مي گرده . در كل مزاياي تكنولوژي 90 nm : كارايي بالاتر ، مصرف ترانزيستورهاي پايين تر ، سطح سيليكون فشرده ، اتصال دهنده هاي مسي داخلي با سرعت بالا از جمله مزاياي اين تكنولوژي است .
با استفاده از سيليكون فشرده ، مي توان تراتزيستورهاي سريع تري داشت . براي درك نحوه كار سيليكون فشرده ، وضع اتمهاي سيسليكوم رو مثل يك ساختار شبكه فرض كنين . در اين تكنولوژي ، اين شبكه در واقع به نو عي كشيده شده و اتمها مي تونن با جريان سريع تر و مقاومت كمتري حركت كنن.
منظور ARH عزيز كه به خاطر داشتن ترانزيستورهايي با دماي كاري پايين تر ، تبعا تعداد ترانزيستور بيشتري رو مي توان در واحد سطح بكار برد ، و با استفاده از ترانزيستور هاي بيشتر ، پردازنده هايي با فركانس كاري بالاتري مي شه توليد كرد . بعبارت ديگه اين امكان براي سازندگان پردازنده ها بوجود مياد ، كه نسل پردازنده ها رو ارتقا و ادامه بدن .
قبلا هم در مورد 90 نانو بودن پردازنده هاي جديد AMD در يك تاپيك ديگه بحث شد ، كه اينجا تكرارش مي كنم :
كلا اين قضيه 90 يا 130 نانومتري بودن مربوط به SOI (silicon-on-insulator) technology ( ميزان سيليكون روي نيمه هادي ) است . كه به نحوه توليد و نوع ترانزيستور ها و نيمه هادي هاي بكار رفته داخل پردازنده بر مي گرده . در كل مزاياي تكنولوژي 90 nm : كارايي بالاتر ، مصرف ترانزيستورهاي پايين تر ، سطح سيليكون فشرده ، اتصال دهنده هاي مسي داخلي با سرعت بالا از جمله مزاياي اين تكنولوژي است .
با استفاده از سيليكون فشرده ، مي توان تراتزيستورهاي سريع تري داشت . براي درك نحوه كار سيليكون فشرده ، وضع اتمهاي سيسليكوم رو مثل يك ساختار شبكه فرض كنين . در اين تكنولوژي ، اين شبكه در واقع به نو عي كشيده شده و اتمها مي تونن با جريان سريع تر و مقاومت كمتري حركت كنن.